NTMFS4C10NT1G

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

NTMFS4C10NT1G datasheet

• Маркировка
  NTMFS4C10NT1G
• Производитель
  ON Semiconductor
• Описание
  ON Semiconductor NTMFS4C10NT1G Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 46 A Rds On: 6.95 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SO-8 Flat Lead Brand: ON Semiconductor Fall Time: 7 ns Forward Transconductance - Min: 43 S Gate Charge Qg: 18.6 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 23.6 W Rise Time: 34 ns Factory Pack Quantity: 1500 Typical Turn-Off Delay Time: 14 ns
• Количество страниц
  7 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet NTMFS4C10NT1G.pdf
Файл формата Pdf 124,17 KB